BLF8G27LS-100PJ
NXP Semiconductors
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 28 V |
Spannung - Nennwert | 65 V |
Technologie | LDMOS (Dual), Common Source |
Supplier Device-Gehäuse | LDMOST |
Serie | - |
Leistung | 25W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-1121B |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 18dB |
Frequenz | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Strom - Test | 860 mA |
Konfiguration | 2 N-Channel |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
NXP SMD
NOW AMPLEON, BLF8G27LS-100V, POW
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
BLF8G27LS-100P NXP
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
NOW AMPLEON, BLF8G27LS-100V, POW
NXP SOT-502B
BLF8G27LS-100V NXP
2024/03/19
2024/05/23
2024/04/4
2023/12/20
BLF8G27LS-100PJNXP Semiconductors |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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